Toshiba работает над высокоскоростной памятью UFS 3.0 для смартфонов

Используемая в современных смартфонах флеш-память стандарта UFS (Universal Flash Storage) становится еще быстрее. Популярность мобильных устройств (будь то смартфоны, экшен-камеры и т.п.) по всему миру мотивирует производителей активно инвестировать в мобильный сегмент рынка, и вот очередной прорыв свершился: компания Toshiba объявила о создании новой высокоскоростной памяти, отвечающей спецификации JEDEC UFS 3.0. Первые чипы памяти с емкостью 128 Гбайт, характеризующиеся высокой производительностью и меньшим энергопотреблением, уже начали поступать в продажу. Накопители с большей емкостью начнут поступать в продажу с марта 2019 года.

Новые чипы памяти построены на 96-слойной технологии производства 3D TLC NAND (BiCS), что позволяет получить модули на 128, 256 и 512 Гбайт размером 11,5х13 мм. Принцип изготовления чипов полностью соответствует спецификациям UFS v3.0 и HS-GEAR4, позволяя обеспечить пропускную способность интерфейса на уровне 11,6 Гбит/с в одноканальном режиме и 23,2 Гбит в двухканальном режиме, что эквивалентно значению в 2900 Мбайт/с. Инженеры Toshiba отмечают, что скорость последовательного чтения и записи у новых модулей на 512 Гбайт на 70% и 80% выше, чем у предыдущего поколения чипов UFS 2.1. Для работы с требовательными приложениями – это шаг в будущее.

Представители Toshiba открыто говорят о том, что смартфоны 2019 года серьезно удивят покупателей своим быстродействием. Планируется, что смартфоны с памятью UFS 3.0 можно будет использовать с гарнитурами виртуальной и дополненной реальности, не испытывая дискомфорта, связанного с тормозами при загрузке данных.